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TrendForce:价格涨势不停,第三季DRAM总营收大幅季成长15.8%

Thursday , 11 / 17 / 2016 [ 分析师: 吴雅婷 ]

TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示,受惠于全球智能手机出货成长,及内存搭载量不断攀升,第二季开始DRAM原厂逐步降低标准型内存的产出,转为行动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下,第三季开始标准型内存价格呈上涨走势,同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,第三季适逢苹果iPhone 7与三星Note7二大旗舰机备货潮,虽然Note 7后来于第四季停产,但第三季的备货仍有助内存消化量与价格的上扬,标准型内存也因出货比预期更佳,加上笔电搭载高容量8GB内存比重亦持续增加,更让第四季标准型内存合约价季涨幅逾30%。

三大DRAM厂营收激增,美光转亏为盈

三星依然稳坐DRAM产业龙头,营收季成长约22.4%,成长幅度远超过市占第二的SK海力士,两大韩厂的市占各为50.2%以及24.8%,合计二家韩厂已囊括DRAM 75%的市占率。美光集团仍位居第三,营收季增12.6%,市占18.5%。

营业获利部分,三星仍是DRAM产业冠军,第三季营业获利率维持在37%,SK海力士由18%上升至25%,而美光则是转亏为盈,从-0.6%转为2.3%。吴雅婷表示,展望第四季,由于DRAM价格持续攀升,可以肯定各厂获利仍将进一步成长。

力晶科技季营收大幅衰退31.1%

由技术面观察,三星已在20纳米制程上取得领先,成本为三大DRAM厂中最低,新厂Line 17的18纳米制程也从下半年起开始生产。吴雅婷指出,由于三星目标以获利为重,对于18纳米是否继续大规模扩产仍在谨慎规划中。

第三季SK海力士的21纳米制程产出不如预期,导致产业供给吃紧,目前SK海力士仍将着重于21纳米的良率提升,并规划2017下半年进入18纳米试产阶段,持续制程转进。

美光在华亚科于今年九月正式100%转进20纳米制程下,20纳米制程也正式成为美光的主力制程技术,美光后续也计划明、后年陆续导入18/16纳米量产。

台厂部分,南亚科受惠于第三季标准型内存价格持续上涨,加上客户陆续追加订单,第三季营收较第二季成长16.7%,但随着新工厂Fab 3A North完工,明年上半年将导入20纳米制程,届时成本有望进一步降低。

力晶科技DRAM营收大幅下滑31.1%,受到第二季价格不好影响,力晶减少第三季标准型内存的产出,导致营收大幅下滑,随着第四季DRAM价格大涨,力晶DRAM投片又开始恢复之前水平,可预期营收将回复成长。

华邦电子第三季营收小幅成长7%,除46纳米比重持续提升外,38纳米制程预估最快于第四季正式少量投片生产,此外,由于利基型内存第四季起涨价,亦将反映在第四季的营收表现上。

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