媒体联络人

Ms. Sara fan (深圳)

Tel: +86-775-8299-5597

Ms. Crystal Liao (深圳)

Tel: +86-775-8299-5597

Ms. Pinchun Chou (台北)

Tel: +886-2-8978-6488 ext.669

Ms. Lindsay Hou (台北)

Tel: +886-2-8978-6488 ext.667

RSS 订阅
  DRAM  
  NAND Flash  
  Storage  
  Display  
  Consumer Electronics  
  LED  
  Green Energy  
  Internet of Things  
  Semiconductors  
  Automotive Electronics  
  Innovative Technological Applications  
       

新闻发布


集邦咨询:国家发改委或与三星签MOU,预计将压抑DRAM涨幅、加速增产

Thursday , 02 / 01 / 2018 [ 分析师: 吴雅婷 ]

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,由于内存价格延续呈现超过6个季度的上涨,造成数家中国智能手机品牌厂不堪成本压力,因此在去年年底,国家发改委约谈三星半导体,使得第一季行动式内存的涨幅有所收敛。有消息显示,韩国政府近日将携三星电子与国家发改委签署备忘录,内容将涵盖在半导体领域的相关合作,其中包含扩大在中国投资以及技术合作的可能性。

近年来,中国成为内存产品的最大出海口,不管是国内需求或是外销,透过中国所购买的内存比重持续增加,对于中国市场情绪的变化,三星必须给予尊重及反应。因此,DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,此次事件将可能对未来内存产业产生以下两种影响:

一、DRAM虽仍呈供货吃紧状态,但未来涨幅将受抑制

就DRAM领域来看,目前供货商在生产行动式内存的获利远低于其他类别产品,而受到第一季智能手机低迷需求的影响,再加上国家发改委的动作,预期未来价格涨幅将更受抑制。展望未来,供货商预期会持续将现有的产能从行动式内存转向更高毛利产品,造成其他类别产品的价格涨幅也进一步收敛。

二、供货商为避免价格涨幅过高,新增产能的可能性增加

其次,在NAND Flash领域,2018年由于3D NAND Flash的比重持续提高,因此供货吃紧的状态较去年大幅改善。然而,观察DRAM供给,由于目前并未有新增产能贡献位元产出,造成2018年仍属供不应求状态。DRAMeXchange分析,为应对中国方面对于内存价格持续上涨所表达的强烈不满,对供货商而言,在涨价受到抑制、成本下降不易的考虑下,新增产能的可能性与时程皆可能转趋积极,透过增加产能来贡献位元产出不仅可以维持价格稳定,也希望藉此维持该企业在DRAM产品的获利水平。

【TrendForce媒体中心版权声明】
TrendForce集邦科技欢迎您引用集邦科技媒体中心网页上的新闻稿数据,或转载至电子媒体平台、社群网络平台及新闻媒体用途使用,只要同意遵守以下规则:

1. 请在文章中附上内容来源出处、或该篇集邦科技新闻稿的连结
2. 请勿任意修改新闻稿之文字原意
3. 请勿附加非集邦科技之网站链接于引用之文字,如网站广告

若在引用内容中出现资料疏漏或不正确内容,集邦科技可有权提出内容更正之要求,错误内容也需配合实时修正。